科技日报讯 （记者张佳欣）韩国根底科学研讨所范德华量子固体中心的研讨团队找到了一种新方法，完成了宽度小于1纳米的一维金属材料的外延成长。有必要留意一下的是，他们运用的是一维金属作为超小型化晶体管的栅极电极。这项研讨于7月3日宣布在《天然·纳米技能》杂志上。

  半导体器材的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制作工艺中，因为光刻分辨率的约束，将栅极长度削减到几纳米以下是不可能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶鸿沟（MTB）是宽度仅为0.4纳米的一维金属，因而，研讨人员将其用作栅极电极，可战胜光刻工艺的约束。

  在这项研讨中，经过在原子水平上操控现有二维半导体的晶体结构，研讨团队将其转化为一维MTB，完成了一维MTB金属相。这不仅是下一代半导体技能的重大突破，也是根底材料科学的重大突破，它展现了经过人工操控晶体结构可大面积组成新材料相。

  一维MTB晶体管在电路功能方面也具有优势。用于硅半导体器材小型化的鳍式场效应晶体管或全盘绕栅极晶体管等技能因为器材结构较为杂乱，易发生寄生电容，导致高集成度电路不稳定。相比之下，一维MTB晶体管因为结构相对比较简单、栅极宽度极窄，能够将寄生电容降至最低。

  研讨人员表明，经过外延成长完成的一维金属相是一种新型材料工艺，可应用于超小型半导体制作，有望成为未来开发各种低功耗、高功能电子设备的关键技能。

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