前段时间，小编向大家介绍了英特尔和三星在提升芯片制造工艺、扩大先进芯片产能方面的消息，总的来说，形势非常严峻。
主要原因是技术上遇到严重瓶颈，良品率低，成本高，以至于这两家厂商新建的芯片工厂陷入两难，进退维谷。如果这部分芯片工厂继续生产运行，那么只会严重亏本，如果关闭工厂，那么意味着之前的各种建设投入（还有各地给予的补贴）打了水漂。
对这方面内容感兴趣的朋友，请在小编主页上搜索阅读《家家有本难念的经，三星、英特尔芯片扩张战略遭遇严重挫折》和《联吴抗曹！传英特尔有意与三星合作，共同组建“芯片代工联盟”》等文章，请参阅图一和图二。
不过，本文的主题并不是英特尔和三星，而是台积电，在英特尔和三星芯片推进发展规划遭遇瓶颈的情况下，台积电未来数年的发展规划很值得关注。近日，台积电在荷兰阿姆斯特丹举行的2024年开放创新平台会议上透露了部分相关信息（请参阅下图），可供参考。
台积电表示，该公司未来数年内的总体规划基本保持不变，具体而言，将从2025年底开始采用N2工艺（2 纳米级）和N3P和N3X工艺量产芯片，2026年底采用A16工艺（1.6纳米级）量产芯片。
需要强调、指出的是：这个发展规划并不是台积电近期才制定、公布的，至少在6个月前就已经制定。这说明，台积电在推进提升先进芯片制造工艺方面的进度比较顺利，所以才没有推迟，仍按原计划进行。
短期内最需要我们来关注的是N2工艺，据悉，台积电还会推出若干个基于N2工艺的小幅改进版，比如N2P和N2X等，至于这些工艺将于何时用于量产芯片，目前还没有确切消息，预计也在2026年内。
虽然看起来工艺型号非常繁多，但是从本质上来看，N2工艺、N2P工艺、N2X工艺和A16工艺有很多共同之处。它们都采用纳米片全环绕栅极 （GAA） 晶体管。N2系列工艺使用超高性能金属绝缘体金属电容器来降低晶体管通孔电阻以提高性能效率，而A16工艺使用背面供电网络技术进行了进一步改进。
总的来说，相比竞争对象英特尔和三星，台积电在扩大先进芯片产能方面总体比较顺利，没有遇到重大技术瓶颈，可谓一枝独秀、风景这边独好。另外一方面，也代表着英特尔和三星所面临的竞争压力会慢慢的大。
综上所述，对于广大普通消费者来说，未来数年内芯片的性能和综合体验仍将不断的提高，完全无需担心技术推进存在瓶颈的问题，唯一需要担心的是预算，未来相关这类的产品的价格可能会越来越高。
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