】2017年9月19日，北京“英特尔精尖制作日”活动举办了，展现了英特尔制程工艺的多项重要开展，包含：英特尔10纳米制程功耗和功用的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的方案，并宣告了业界首款面向数据中心使用的64层3D NAND产品已完成商用并出货。
“英特尔遵从摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功用和功用、更高的能效、更低的晶体管本钱，”英特尔公司执行副总裁兼制作、运营与出售集团总裁Stacy Smith表明，“很快乐初次在我国与大家伙儿一起来共享英特尔制程工艺道路图中的多项重要开展，展现了咱们持续推进摩尔定律向前开展所取得的丰硕成果。”
图注：英特尔公司全球副总裁兼我国区总裁杨旭欢迎来自协作伙伴、客户、政府部门和学术界的嘉宾以及新闻媒体到会2017年9月19日在北京举办的“英特尔精尖制作日”活动。此次活动着眼于加快速度进行开展的我国技能生态体系，重申英特尔与我国半导体工业共生长的许诺。英特尔在我国深耕32年，打造了世界级的晶圆制作和封装测验工厂，自2004年以来在华协议总投入达130亿美元。
Stacy Smith进一步表明，英特尔推进摩尔定律向前开展的才能 每一年都持续下降产品价格并进步其功用 是英特尔的中心竞赛优势。英特尔一直以来都是并将持续成为推进摩尔定律向前开展的技能领导者，现在英特尔在制程工艺上保持着大约三年的抢先性。
图注：英特尔公司执行副总裁兼制作、运营与出售集团总裁Stacy Smith全球初次展现“Cannon Lake”10纳米晶圆，选用超微缩技能，具有世界上最密布的晶体管和最小的金属距离，以此来完成了业界最高的晶体管密度。
英特尔高档院士马博（Mark Bohr）介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节，展现了英特尔的技能抢先性。在晶体管密度和晶体管功用方面，英特尔10纳米均抢先其他竞赛友商“10纳米”整整一代。经过选用超微缩技能（hyper scaling），英特尔10纳米制程工艺具有世界上最密布的晶体管和最小的金属距离，以此来完成了业界最高的晶体管密度。超微缩指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上进步2.7倍晶体管密度的技能。在此次“英特尔精尖制作日”活动上，英特尔“Cannon Lake”10纳米晶圆全球初次揭露露脸。
马博还演示了他提出的晶体管密度计算公式，用以标准晶体管密度的通用衡量标准，以此厘清当时业界制程节点命名乱象，这也是英特尔不懈的坚持和尽力，将有利于更容易地比较不同厂商之间的技能。
马博一起介绍了英特尔22FFL功耗和功用的最新细节。22FFL是在2017年3月美国“英特尔精尖制作日”活动上初次宣告的一种面向移动使用的超低功耗FinFET技能。英特尔22FFL可带来一流的CPU功用，完成超越2GHz的主频以及漏电下降100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圆在本次活动上全球初次揭露露脸。
在本次活动上，英特尔发布了选用英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工渠道的下一代FPGA方案。研制代号为“Falcon Mesa”的FPGA产品将带来全新水平的功用，以支撑数据中心、企业级和网络环境中日渐增加的带宽需求。
在2016年8月于旧金山举办的英特尔信息技能峰会（IDF）上，英特尔晶圆代工宣告与Arm达成协议，两边将加快根据英特尔10纳米制程的Arm体系芯片开发和使用。作为这一协作的结晶，今日的“英特尔精尖制作日”全球初次展现了ArmCortex-A75 CPU内核的10纳米测验芯片晶圆。这款芯片选用行业标准规划流程，可完成超越3GHz的功用。
图注：Arm总经理、副总裁兼合伙人Gus Yeung全球初次展现了一款ArmCortex-A75 CPU内核的10纳米测验芯片。这款芯片选用行业标准规划流程，可完成超越3.3GHz的功用。
英特尔还宣告了业界首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3D NAND固态盘产品已正式出货。该产品自2017年8月初便开端向部分尖端云服务提供商发货，旨在协助客户大幅度的进步存储功率。在存储范畴30年的专业沉淀，使得英特尔能够推出优化的3D NAND浮栅架构和制作工艺。英特尔的制程抢先性，使其能快速把2017年6月推出的64层TLC固态盘产品组合，敏捷从客户端产品扩展到今日的数据中心固态盘产品。到2017年年末，该产品将在更大范围内上市。
